Mehr Power auch für MedTech

Infineon will GaN-Systems übernehmen

3. März 2023, 8:51 Uhr | Ute Häußler
Jochen Hanebeck, CEO von Infineon (links), und Jim Witham, CEO von GaN Systems (rechts), wollen die Zukunft von Galliumnitrid gemeinsam fortschreiben.
© Infineon, GaN Systems

Infineon zahlt 830 Millionen Dollar für GaN Systems. Der Kauf des kanadischen Power-Spezialisten ist eine weiterere Investition des Konzerns in die Wide-Bandgap-Technologie. Galliumnitrid ermöglicht auch in der Medizintechnik kleinere und leichtere Stromversorgungen.

GaN Systems ist ein weltweit führender Anbieter von GaN-Leistungshalbleitern mit einem breiten Portfolio an Transistoren. Das Unternehmen aus Ottawa beschäftigt rund 200 Mitarbeitende, Infineon will den Technologieführer vollständig übernehmen.

Das Wide-Bandgap-Material GaN bietet Kunden Mehrwert durch eine höhere Leistungsdichte, einen höheren Wirkungsgrad und reduzierte Größen, insbesondere bei höheren Schaltfrequenzen. Diese Eigenschaften ermöglichen Energieeinsparungen und kleinere Formfaktoren. Die Marktanalysten von Yolé erwarten, dass der Umsatz mit GaN-Produkten für Leistungsanwendungen bis 2027 um 56% CAGR auf ca. 2 Milliarden US-Dollar steigt. Damit entwickelt sich GaN neben Silizium und Siliziumkarbid zu einem entscheidenden Material für Leistungshalbleiter, in Verbindung mit neuen Topologien wie Hybrid Flyback und Multi-Level-Implementierungen.

+ Lesen Sie dazu: Medizintechnik-Netzteile - GaN-Revolution für Home Care +

Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender von Infineon, sagt zum Deal: »Die geplante Übernahme von GaN Systems wird unsere GaN-Roadmap dank unübertroffener F&E-Ressourcen, einem umfassenden Applikations-Verständnis und einer Vielzahl von Kundenprojekten deutlich beschleunigen. Im Einklang mit unserer Strategie stärkt diese Akquisition die Führungsposition von Infineon im Bereich Power-Systems, die wir durch Beherrschung aller relevanten Energietechnologien unterstreichen, sei es auf Silizium, Siliziumkarbid oder Galliumnitrid.«

Infineons Wafer-Fertigung für GaN

Mit einer Investition von mehr als 2 Milliarden Euro in eine neue Frontend-Fabrik in Kulim, Malaysia, kündigte Infineon bereits im Februar 2022 einen erheblichen Ausbau seines Engagements im Bereich Wide-Bandgap sowie eine weitere Stärkung seiner Marktposition an. Die ersten Wafer werden die Fertigung in der zweiten Hälfte des Jahres 2024 verlassen und ergänzen die bestehenden Wide-Bandgap-Fertigungskapazitäten von Infineon in Villach, Österreich. Die geplante Übernahme von GaN Systems wird aus den vorhandenen liquiden Mitteln finanziert. (uh)

 

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