Halbleiter

40-V-MOSFET-Halbbrücke SiZ240DT

09. November 2020, 11:00 Uhr   |  Vishay

40-V-MOSFET-Halbbrücke SiZ240DT
© Vishay

Die neue MOSFET-Halbbrücke kommt im kompakten PowerPAIR-Gehäuse.

Vishay bietet erhöhte Leistungsdichte und Effizienz

Vishay Intertechnology präsentiert eine neue 40-V-n-Kanal-MOSFET-Halbbrücke, die sich durch erhöhte Leistungsdichte und Energieeffizienz auszeichnet. Durch die Integration der High- und Low-Side-MOSFETs in einem 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAIR-Gehäuse bietet die  SiZ240DT gute On-Widerstands- und FOM-Werte.

Beide TrenchFET-MOSFETs im SiZ240DT sind intern zu einer Halbbrückenschaltung verbunden. Der Kanal-1-MOSFET, der typischerweise als Steuerschalter in einem Synchron-Abwärtsregler dient, hat einen maximalen On-Widerstand von 8,05 mOhm bei 10 V beziehungsweise 12,25 mOhm bei 4,5 V Gate-Spannung. Der Kanal-2-MOSFET, der typischerweise als Synchronschalter dient, hat einen On-Widerstand von 8,41 mOhm bei 10V beziehungsweise 13,30 mOhm bei 4,5 V Gate-Spannung. In Verbindung mit den niedrigen Gate-Ladungen von 6,9 nC (Kanal 1) beziehungsweise 6,5 nC (Kanal 2) ergibt sich ein FOM-Wert, der um 14% niedriger ist als beim vergleichbaren Produkt, das erhöht die Energieeffizienz in Hochfrequenz-Schaltanwendungen.

RoHS-konform und halogenfrei

Die neuen Dual-MOSFETs sind 65% kleiner als vergleichbare Typen im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse und zählen damit zu den kompaktesten integrierten Dual-MOSFETs am Markt. Sie bieten Entwicklern eine platzsparende Lösung für Anwendungen wie nicht-implantierbare medizinische Geräte.

Weil der integrierte Dual-MOSFET keine internen Drahtverbindungen enthält, wird die Parasitärinduktivität minimiert und ermöglicht dadurch hohe Schaltfrequenzen. Dies wiederum erlaubt die Verwendung kleiner Induktivitäten und Transformatoren und ermöglicht somit kleinere Endprodukte. Das optimierte Qgd/Qgs-Verhältnis reduziert das Schaltrauschen und verbessert ganz allgemein das Schaltverhalten. Der SiZ240DT wird 100% Rg- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

Lieferbar ist der neue Dual-MOSFET ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen; die Lieferzeit für große Bestellmengen beträgt zwölf Wochen. 

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Hier geht’s zur Produktinformation direkt beim Hersteller

(me)

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