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Osram steigert Effizienz von grünen LED um 40 Prozent
Durch den Abfall der Lichtausbeute sorgten grüne LED häufig für Effizienzprobleme und hohe Kosten. Bei der Fertigung von InGaN-basierten grünen LED ist es Osram nun gelungen, die typischen Vorwärtsspannungen um 600 mV zu reduzieren und gleichzeitig die Ausgangsleistung zu erhöhen.
Die Entwickler bei Osram Opto Semiconductors haben es geschafft, die typischen Vorwärtsspannungen grüner, direkt emittierenden Indium-Gallium-Nitrid (InGaN)-basierter LED bei Stromdichten von 45 A/cm2 um 600 mV auf 2,6 V zu senken. Besonders für Anwendungen, in denen rote, blaue und grüne LED kombiniert eingesetzt werden, ergeben sich dadurch laut eigener Aussage große Vorteile.
Da nun alle drei Farben eine Spannung von unter 3 V aufweisen, können die bisher auf höhere maximale Spannungen angelegten Treiber geringer dimensioniert werden. Das verringert die sogenannte dissipative Verlustleistung und reduziert Kosten. Entscheidende Faktoren auf dem Weg zur Effizienzsteigerung waren ein verbesserter Ladungsträgertransport sowie eine optimierte Materialqualität in den epitaktischen Schichten.
Bei 350 mA erreichen 1 mm²-UX:3-Chips mit der neuen Technologie laut eigener Aussage Effizienzen jenseits von 175 lm/W bei Wellenlängen um 530 nm. Auch die absoluten Licht-Ausgangsleistungen mit Werten über 300 lm bei 1 A Pumpstrom sollen Kunden neue Anwendungsmöglichkeiten eröffnen. (me)
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